calculadora

Atenuación requerida
Cálculo de Areq,DM y Areq,CM según la normativa CISPR 14
Areq,DM
dB modo diferencial
Areq,CM
dB modo común
Ruido medido
dBμV
Límite CISPR
dBμV
Modo Diferencial (DM)
Areq,DM = Ruido − Límite + Margen = — dB
Modo Común (CM)
Areq,CM ≈ 50 dB (estimado para modo común, peor caso)
La atenuación CM se estima como 50 dB. En sistemas con convertidores conmutados la corriente de modo común puede ser 10-20 dB menor que la DM, pero se aplica margen de seguridad conservador.

Frecuencias de corte
fc,DM y fc,CM para filtro LC de segundo orden (40 dB/dec)
fc,DM
Hz
fc,CM
Hz
ftarget (CISPR 14)
150 k
Hz
Margen seguridad
−20 %
sobre fc calculada
Fórmula fundamental (filtro 2º orden)
fc = ftarget / 10^(Areq / 40)
Un filtro LC de segundo orden atenúa a razón de 40 dB/década por encima de fc. La fórmula despeja la frecuencia de corte necesaria para alcanzar Areq a ftarget = 150 kHz.
fc,DM — paso a paso
fc,CM — paso a paso
Atenuación vs Frecuencia (Bode estimado)

Selección de condensadores
CX clase X2 (DM) y CY clase Y2 (CM) con límites de seguridad
CX máx (10% reactiva)
μF
CX seleccionado
2.2
μF — Clase X2
CY máx (0.25 mA fuga)
nF
CY seleccionado
3.3
nF — Clase Y2
Condensador DM — CX Clase X2
CX ≤ (0.1 × Imax) / (2π × fline × Vin)
Condensador CM — CY Clase Y2
CY ≤ 0.25×10⁻³ / (2π × fline × Vin)
Criterio de corriente de fuga — Seguridad
Los condensadores CY conectados entre línea y tierra determinan la corriente de fuga a tierra. Para equipos de uso general la norma IEC 60950 limita la corriente de fuga a 0.25 mA. Para uso médico este límite es 0.01 mA.

Inductancias LDM y LCM
Cálculo de inductancia diferencial y choque de modo común
LDM teórico
mH
LDM normalizado
Integrado
fuga del LCM (≈2%)
LCM teórico
mH
LCM normalizado
56
mH — WE-CMB
Inductor DM — LDM
LDM = 1 / ((2π·fc,DM)² · CX)
El LDM se implementa como inductancia de fuga del choque de modo común (≈2% de LCM). Esto simplifica el diseño y reduce el recuento de componentes.
Choke de modo común — LCM
LCM = 1 / ((2π·fc,CM)² · 2·CY)
Criterio anti-saturación del núcleo
A > (IDM · LDM) / (Bmax · N)

Núcleo magnético
Número de espiras, producto de áreas y selección del material
Espiras N
vueltas
Ae·Aw mínimo
mm⁴
Bmax material
T
μeff estimado
adim.
Número de espiras (método AL)
N = √(LCM / AL)
A mayor N, mayor capacidad parásita y menor SRF. Verificar que SRF > 150 kHz.
Producto de áreas Ae·Aw
Ae·Aw ≥ (LCM·Imax²) / (Jmax·Bmax·ku)
Comparativa de materiales magnéticos
Material Bsat (T) μeff Coste Tamaño relativo
Nanocristalino 1.20 20k–80k Alto Muy compacto
Ferrita Mn-Zn 0.30 2k–10k Bajo Voluminoso
Amorfo 0.90 5k–30k Medio Compacto

Conductor y efecto pelicular
Sección del conductor, densidad de corriente y efecto skin a alta frecuencia
Sección Scond
mm²
Diámetro sólido equiv.
mm ≈ AWG
δ a 150 kHz
0.17
mm — profundidad piel
Área ventana Aw
mm²
Sección del conductor
Scond = Imax / Jmax (Jmax = 4 A/mm²)
Efecto pelicular (Skin Effect)
δ = 66 / √f (cobre, δ en mm, f en Hz)
Área de ventana de bobinado Aw
Aw ≥ (N · Imax) / (Jmax · ku)
Para Imax ≥ 5 A se recomienda hilo Litz o multifilar para reducir pérdidas AC por efecto pelicular. El hilo sólido tiene mayor resistencia AC a 150 kHz.
Profundidad de penetración vs Frecuencia

Resumen de componentes
Tabla completa de componentes calculados y circuito del filtro EMI
Componentes calculados
Componente Símbolo Valor teórico Valor normalizado Referencia Estado
Esquema del filtro EMI (topología LC π)
L (FASE) N (NEUTRO) LCM (Choke CM) CX1 2.2μF CX2 2.2μF CY1 3.3nF CY2 3.3nF PE LCM 56mH INOUT
Criterios de seguridad (resumen)